石墨烯加熱 SiC法

石墨烯的合成方法主要有兩種：機(jī)械方法和化學(xué)方法。

機(jī)械方法包括微機(jī)械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ；

 化學(xué)方法是化學(xué)還原法與化學(xué)解理法。

加熱 SiC法

　　該法是通過(guò)加熱單晶6H-SiC脫除Si，在單晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。

具體過(guò)程是：將經(jīng)氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過(guò)電子轟擊加熱，除去氧化物。

用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除后，將樣品加熱使之溫度升高至1250~1450℃后恒溫1min~20min，

從而形成極薄的石墨層，經(jīng)過(guò)幾年的探索，Berger等人已經(jīng)能可控地制備出單層或是多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定，制備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。