你知道多少制備石墨烯的方法

你知道多少制備石墨烯的方法

該中試裝置采用不需要PMMA的制造工藝開(kāi)發(fā)。為此，我們將一英寸的CVD石墨烯（生長(zhǎng)在銅上）旋轉(zhuǎn)到Nafion溶液（5%當(dāng)量）上。然后，在碳布電極（浸漬Vulcan催化劑上的20%鉑）和旋涂CVD石墨烯。最后，將所得結(jié)構(gòu)置于過(guò)硫酸銨溶液中蝕刻銅并在去離子水中沖洗。在此階段，石墨烯粘附在Nafion膜上；這可以通過(guò)光學(xué)和掃描電鏡進(jìn)行檢查。重要的是，可以通過(guò)大約10 kO的膜電阻率來(lái)驗(yàn)證覆蓋范圍。hm/square在我們的案例中；我們95%光學(xué)驗(yàn)證的CVD覆蓋范圍可以得到確認(rèn)。

為了測(cè)試所得薄膜的氫正離子選擇性，我們將鉑（2nm）蒸發(fā)在石墨烯薄膜上，并將碳布電極壓在其上，形成良好的電接觸。與微型器件一樣，我們通過(guò)在輸入端將薄膜暴露于不同的H-D比來(lái)研究氫正離子的滲透。我們發(fā)現(xiàn)，在輸入端，薄膜中的氫正離子透過(guò)率為0.5%。膜保留了它的選擇性，事實(shí)上，我們測(cè)量了質(zhì)子-氘核分離9。相反，沒(méi)有一個(gè)石墨烯大小相同的器件顯示出完全沒(méi)有選擇性，這與我們之前的結(jié)果一致。

當(dāng)使用PMMA時(shí)，CVD石墨烯被涂上PMMA，銅被蝕刻，留下一層PMMA涂層的石墨烯薄膜漂浮在蝕刻溶液中。該薄膜需要轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。PMMA層非常?。ㄔ诩{米尺度上），這意味著從蝕刻溶液中去除石墨烯/PMMA薄膜特別精細(xì)。它是PMMA工藝的規(guī)模難以擴(kuò)大，CVD石墨烯通過(guò)1英寸規(guī)模的器件直接刻印在目標(biāo)基板上。

此外，評(píng)估與所述同位素分離方法相關(guān)的潛在能源成本是有用的。對(duì)于鉑活化石墨烯，質(zhì)子導(dǎo)電率為100ms /cm2。使用低壓V_0.1V可以很容易地實(shí)現(xiàn)質(zhì)子電流i=_v_100a/m2，以避免石墨烯界面形成氣泡。這將轉(zhuǎn)換為o H2生產(chǎn)率r=i/2nae_2摩爾每小時(shí)每平方米（其中na為阿伏伽德羅數(shù)），生產(chǎn)能量為iv/r=2naev_5wh/mole或0.3kwh/kg的給水，這比現(xiàn)有濃縮過(guò)程中較高的能源成本更為有利，原則上，用鉑活化的hbn和_1ms/cm2可以獲得更高的產(chǎn)量。（100次）。

由石墨烯和六角氮化硼（HBN）單層（它們對(duì)熱質(zhì)子具有意想不到的滲透性）制備出二維質(zhì)子導(dǎo)電膜。我們還發(fā)現(xiàn)，通過(guò)用催化納米顆粒裝飾單層二維材料（包括但不限于石墨烯和HBN），可以進(jìn)一步降低質(zhì)子屏障。因此，當(dāng)其它二維材料經(jīng)催化金屬處理后也能產(chǎn)生質(zhì)子傳導(dǎo)，這種原子薄質(zhì)子導(dǎo)體方法在許多氫基技術(shù)中具有良好的應(yīng)用前景。

當(dāng)然，石墨烯薄膜的制備方法有很多，以后會(huì)介紹給大家，另外，重慶遠(yuǎn)世盛石墨烯薄膜工業(yè)有限公司還可以采用液相法和卷對(duì)卷工藝生產(chǎn)大量透明導(dǎo)電石墨烯薄膜，薄膜的參數(shù)比較好。d.

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