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石墨烯有重要進(jìn)展,這個可控生長有啥優(yōu)勢?

作者:http://m.njkefeiya.com 發(fā)布時間:2019-09-22 10:28:50

石墨烯有重要進(jìn)展,這個可控生長有啥優(yōu)勢?



近日,《納米尺度》(Nanoscale)雜志以《六角氮化硼表面石墨烯晶疇邊界調(diào)控》(Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride)為題,在線刊登了中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室陳令修、王浩敏等科研人員在石墨烯可控生長研究領(lǐng)域取得的重要進(jìn)展。論文被該雜志選為封底配圖文章。

理想的石墨烯是零帶隙半金屬,邊界是影響其電子能帶結(jié)構(gòu)的重要因素。實現(xiàn)對石墨烯晶疇的邊界調(diào)控是受到廣泛認(rèn)同的前沿課題。然而,這項研究卻面臨著缺乏理論指導(dǎo)和具體解決方案的多重挑戰(zhàn)。因此,實現(xiàn)邊界可控乃至條帶制備對于石墨烯基本物理性質(zhì)的研究及在電子學(xué)等方面的應(yīng)用具有極其重要的意義。

在絕緣的六角氮化硼基體上直接生長石墨烯并調(diào)控邊界,既可以最大限度地保持石墨烯優(yōu)良的本征特性又可以在生長后直接應(yīng)用于納米電子器件,避免了從金屬基體轉(zhuǎn)移所帶來的界面污染和晶格破壞。上海微系統(tǒng)所研究人員在六角氮化硼表面實現(xiàn)石墨烯氣相催化生長工作的基礎(chǔ)上,首次通過改變碳源氣體(C2H2)與催化氣體(SiH4)比例,成功實現(xiàn)石墨烯晶疇的邊界調(diào)控,晶疇邊界可以在扶手椅型(Armchair)取向和鋸齒型(Zigzag)取向之間進(jìn)行控制。通過利用與六角氮化硼基體精確對準(zhǔn)的石墨烯表面展現(xiàn)出摩爾條紋超晶格結(jié)構(gòu),結(jié)合原子分辨原子力顯微鏡(AFM)圖像作為判斷依據(jù),實現(xiàn)對石墨烯邊界取向識別。以此工藝為基礎(chǔ),在六角氮化硼表面單層臺階處外延生長,并成功得到不同取向且邊界平直的石墨烯條帶。

該研究成果為石墨烯納米帶的大規(guī)模制備及能帶工程研究提供了可選擇性方案。

近年來,圍繞面向微電子應(yīng)用的高質(zhì)量石墨烯材料制備的這一主題,上海微系統(tǒng)所研究團(tuán)隊走出了具有鮮明特色的研究路徑,特別是在六角氮化硼表面石墨烯可控制備領(lǐng)域,該研究團(tuán)隊取得了一系列原創(chuàng)性的研究成果:氮化硼表面石墨烯形核機(jī)理(Carbon 50, 329–331(2012))、石墨烯堆垛取向識別(Scientific Reports 3, 2666(2013))、石墨烯晶疇氣相催化生長(Nature Communications 6, 6499(2015))以及石墨烯納米帶的可控制備(Nature Communications (2017, 8, 14703))。

相關(guān)研究先后得到了科技部重大專項、中科院前瞻性重點部署項目、中科院B類先導(dǎo)專項以及上海市科委項目的支持。該項研究的合作單位包括上海科技大學(xué)、華中科技大學(xué)、中南大學(xué)和中科院上海技術(shù)物理研究所。

六角氮化硼基體上直接生長的石墨烯通過調(diào)節(jié)氣源比例可以獲得a)扶手椅型(Armchair)取向邊界與b)鋸齒型(Zigzag)取向邊界



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